High Power, More Photons
ハイパワー 近赤外 SOA/RSOA & レーザダイオード
<2024年度から日本市場への紹介を開始>

SemiNex の製品群

  

● 半導体光アンプ
　　・SOA
　　・RSOA
● 半導体レーザー
　　・ シングルジャンクション ファブリペロー(パルス/CW)
　　・ トリプルジャンクション　ファブリペロー(パルス)
　　・ DFB
● パッケージ
　　・パッシブクーリング
　　・サブマウント付きのチップ/バー
　　・マルチチップモジュール
　　・４-ピンファイバカップルパッケージ
　　・１４-ピンバタフライパッケージ
　　・チップオンキャリア (COC)

用途別の代表的製品

 主 な  用 途  製品種別※  波長(nm)  開口(μm)  出　力  パッケージ
  光通信
 ・データセンター
 ・空間光通信		  SOA-CW
 DFB-Pulsed
  ・1310
 ・1550		 　・  4  100 ～ 500 mW
　(パルス)		    
 OTDR
 ・社内ネットワーク
 ・フィールド試験		  FP-SM-Pulsed  ・1650
 ・1625
 ・1310		 　・  4  100 ～ 700 mW
　(パルス)		     
 レーザー距離計
 ・防衛
 ・土木		  FP-MM-Pulsed  ・1450
 ・1550
 ・1650 		 　・ 50
　・ 95
　・180
　・350		  10 ～ 100 W
　(パルス)
 ターゲット照射
 ・防衛
 ・安全保障		  FP-MM-Pulsed  ・1450
 ・1550
 ・1650		 　・ 50
　・ 95
　・180
　・350		  10 ～100 W
　(パルス)
 FMCWライダー
 ・自動車
 ・産業機器		  SOA-CW
 DFB-Pulsed		  ・1310
 ・1550		 　・  4  0.1 ～ 0.45 W
 ToFライダー
 ・自動車
 ・航空		  FP-MM-Pulsed  ・1550  　・ 50
　・ 95
　・180
　・350		  10 ～ 100 W
　(パルス)
 ホームヘルスケア
 ・ニキビ治療
 ・しわ治療		  FP-MM-CW  ・1450
 ・1470 		 　・ 95  0.5 ～ 10 W  
 プロ用メディカル
 ・ 静脈瘤治療
 ・ 組織凝固		  FP-MM-CW  ・1470
 ・1940		 　・ 95
　・105
　・150		 　1 ～ 15 W   
※ FP: ファブリペロー、MM: マルチモード、SM: シングルモード、SOA: 半導体光アンプ

ハイパワーレーザーの長寿命と高信頼性

  


● 出力：10 ～ 100W
● 熱による特性変化の発生限界が高い
● COD (破壊的光学損傷) が発生しない
● 20年以上の市場実績
● MTTF 22.8万時間 @ 50℃ ＆ 0.1% DC
　 MTTF 5.7万時間 @ 50℃ ＆ 0.4% DC

光通信/データセンターでの長距離伝送へ

  


● フルレンジ波長： 1310nm、1550nm
● ファブリペローシングルモードで
    450mW (1550nm)、700mW (1310nm)
● クラス最強の半導体光アンプ (SOA) と DFBレーザー
● 14ピン パタフライ や TO9ファイバーパッケージ
● Si フォトニック光集積回路のインテグレーションサポート
● 高信頼性

半導体光アンプ (SOA/RSOA) ＆ 各種パッケージ

  


● 1310nm (O-バンド) と 1550nm (C-バンド) が提供可能
● SOA： 傾斜直線導波路や曲線導波路が可能
● RSOA (ゲインチップ)： 曲線導波路
● 標準導波路： 導波路傾斜 ６°、出力光角度１９．５°
● 3dB利得幅で最高出力を達成
● 光通信や FMCWライダー向けに提供
● SOA/RSOA アレイは、ご要求が有れば提供
● SOAパッケージ： COC※と １４ピン バタフライで提供
● RSOAパッケージ： COC※のみで提供
    ※ COC： チップ オン キャリア
● "2023年 LFW Innovators Awards" を受賞
● "2024年 LFW Innovators Awards" を受賞

Laser Focus World 2024 Innovators Awards での SemiNex 受賞内容

SemiNex Corporationは、業界最先端のゲインチップ/反射型半導体光増幅器（RSOA）プラットフォームで本賞を受賞しました。このプラットフォームは、1310 nmおよび1550 nmの波長で最良のパフォーマンスを発揮し、広範な温度範囲で動作します。ゲインチップ/RSOA構造へのSemiNexの独自性は、AlInGaAs材料系と、InP基板上に配置された複数の量子井戸を用いた高度な湾曲波導設計に基づいており、優れた光学的および熱的性能を誇ります。高性能なゲインチップ/RSOAと高度なアレイを使用することで、外部共振器レーザー（固定波長および可変波長）や、高出力かつ狭線幅のコム周波数レーザーが実現できます。このゲインチップ/RSOAプラットフォームは、1チャンネルまたは20チャンネル以上のアレイを提供することができ、高いチャンネル数とカスタマイズ可能なチャンネルピッチ（例えば127µm）は、システム設計者にシリコンフォトニック集積回路（PIC）との統合の自由度を与え、最終的なシステムのフットプリントを最小化し、全体的なコストを削減します。AIにおける高性能コンピューティングやデータセンターのI/Oインターフェース向けのアプリケーションでは、光出力の増大が求められており、SemiNexのゲインチップ/RSOAアレイプラットフォームは、システム設計者が目標の仕様に到達するために役立ち、次世代のフォトニクスシステムの最前線を切り開くことに寄与します。
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Laser Focus World 2023 Innovators Awards での SemiNex 受賞内容

SemiNex Corporationは、1550 nm と 1310nm の両波長域で最高性能を発揮する業界最先端の半導体光アンプ (SOA) プラットフォームを発表します。このSOA構造は、独自のAlInGaAs材料系と、優れた光学・熱性能を有するInP基板上に複数の量子井戸を備えた先進的な導波路設計に基づいています。波長 1550nm と 1310nm のSOAチャンネルの出力は、それぞれ 350mW 以上 と 450mW 以上 に到達でき、駆動電流は業界最高の 1A となります。
SOAプラットフォームは、単１チャンネルまたは最大２０チャンネルのアレイを提供できます。このような多くのチャンネル数 と カスタマイズ可能なチャンネルピッチ により、システム設計者はＳＯＡアレイをシリコンフォトニック集積回路 (PIC) と自由に統合可能となり、最終システムの総フットプリントを最小限に抑え、全体的なコスト削減に寄与します。光通信や車載用ライダーでは、より長い到達距離を実現するために、要求される光出力がますます増大してきており、SemiNexのSOAアレイプラットフォームは、多くの顧客が目標とする仕様に追いつくことで、次世代フォトニクス設計の先陣を切ることができます。
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